Magnetic tunnel junction device and writing/reading method...

G - Physics – 11 – C

Patent

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Details

G11C 11/16 (2006.01)

Patent

CA 2540608

The inventive device successively comprises a first electrode (12), a magnetic reference layer (1), a tunnel barrier (3), a magnetic storage layer (4) and a second electrode (13). At least one first heat barrier is disposed between the storage layer (4) and the second electrode (13) and made of a material whose thermal conductivity less than 5W/m/ ~C. A second thermal barrier can be constituted by a layer arranged between the first electrode (12) and the reference layer (1). The writing phase of the method involves the circulation of electric current (l1) through the tunnel junction of the storage layer (4) towards the reference layer (1) whereas the reading phase involves an electric current circulation in a reverse direction.

Le dispositif comporte successivement une première électrode (12), une couche de référence (1) magnétique, une barrière tunnel (3), une couche de stockage (4) magnétique et une seconde électrode (13). Au moins une première barrière thermique est disposée entre la couche de stockage (4) et la seconde électrode (13) et constituée par un matériau ayant une conductivité thermique inférieure à 5W/m/·C. Une deuxième barrière thermique peut être constituée par une couche disposée entre la première électrode (12) et la couche de référence (1). Une phase d'écriture du procédé comporte la circulation d'un courant électrique(11),à travers la jonction tunnel, de la couche de stockage (4) vers la couche de référence (1), tandis qu'une phase de lecture comporte la circulation d'un courant électrique (12) dans le sens inverse.

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