C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01)
Patent
CA 2509643
The present invention provides a megnetron sputtering system using a gas distribution system which also serves as a source of anodic charge to generate plasma field. The sputtering system is comprised of a vacuum chamber, a cathode target of sputterable material, a power source which supplies positive and negative charge, and a gas distribution system. The gas distribution system may comprise a simple perforated gas delivery member, or it may comprise a perforated gas delivery member with an attached conductive anodic surface. The gas delivery member may also contain an inner conduit with further perforations which serves to baffle flow of the sputtering gas. Gas flow may be regulated within discrete portions of the gas distribution system. The anodic surfaces of the gas distribution system are cleaned through the action of plasma and gas flow, creating a more stable plasma and reducing the need for maintenance.
Cette invention se rapporte à un système de pulvérisation au magnétron utilisant un système de distribution de gaz qui sert également de source de charge anodique pour produire un champ de plasma. Ce système de pulvérisation est constitué par une chambre sous vide, par une cathode cible du matériau pulvérisable, par une source d'énergie qui fournit une charge positive et négative et par un système de distribution de gaz. Ce système de distribution de gaz peut comporter un élément d'apport de gaz perforé simple ou un élément d'apport de gaz perforé auquel est liée une surface anodique conductrice. L'élément d'apport de gaz peut également contenir un conduit interne pourvu d'autres perforations qui servent de chicane pour l'écoulement du gaz de pulvérisation. L'écoulement de gaz peut être régulé dans des parties séparées du système de distribution de gaz. Les surfaces anodiques du système de distribution de gaz sont nettoyées par l'action du plasma et de l'écoulement de gaz, ce qui crée un plasma plus stable et réduit les besoins de maintenance.
Borden Ladner Gervais Llp
Cardinal Cg Company
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1947138