C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/02 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) C30B 29/52 (2006.01)
Patent
CA 2561648
A method of manufacture of cadmium mercury telluride (CMT) is disclosed. The method involves growing one or more buffer layers on a substrate by molecular beam epitaxy (MBE). Subsequently at least one layer of cadmium mercury telluride, Hg1-XCdXTe where x is between (0) and (1) inclusive, is grown by metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) The use of MBE to grow buffer layers allows a range of substrates to be used for CMT growth. The MBE buffer layers provide the correct orientation for later MOVPE growth of CMT and also prevent chemical contamination of the CMT and attack of the substrate during MOVPE. The method also allows for device processing of the CMT layers to be performed with further MOVPE growth of crystalline CMT layers and/or passivation layers. The invention also relates to new devices formed by the method.
La présente invention a trait à un procédé de fabrication de tellurure de cadmium et de mercure. Le procédé comprend la croissance d'une ou de plusieurs couches tampon sur un substrat à l'aide d'épitaxie par faisceaux moléculaires. Ultérieurement, on réalise la croissance d'au moins une couche de tellurure de cadmium et de mercure, Hg¿1-X?Cd<SB>X</SB>Te où x est 1 ou 2 inclusivement, par épitaxie en phase gazeuse de mélanges organo-métalliques. L'utilisation d'épitaxie par faisceaux moléculaires pour la croissance de couches tampon permet l'utilisation d'une variété de substrats pour la croissance de tellurure de cadmium et de mercure. Les couches tampon d'épitaxie par faisceaux moléculaires assure l'orientation appropriée pour la croissance ultérieure de tellurure de cadmium et de mercure par épitaxie en phase gazeuse de mélanges organo-métalliques et empêche également la contamination chimique du tellurure de cadmium et de mercure et l'attaque du substrat lors de l'épitaxie en phase gazeuse de mélanges organo-métalliques. Le procédé permet également la réalisation de traitement par dispositifs des couches de tellurure de cadmium et de mercure avec une croissance supplémentaire par épitaxie en phase gazeuse de mélanges organo-métalliques de couches de tellurure de cadmium et de mercure cristallines et/ou des couches de passivation. L'invention a également trait à de nouveaux dispositifs formé par le procédé.
Buckle Louise
Cairns John William
Giess Jean
Gordon Neil Thomson
Graham Andrew
Fetherstonhaugh & Co.
Qinetiq Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1959168