H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/22 (2006.01) H01L 21/328 (2006.01) H01L 21/8252 (2006.01) H01L 25/16 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2280024
A heterobipolar transistor HBT and a laser diode LD are manufactured from a common epitaxial structure comprising a plurality of semiconducting layers (1- 9). The transistor can be manufactured directly from the material as it is after finishing the epitaxial steps. For manufacturing the laser diode the structure is changed by diffusing (21) zinc into the material, so that the topmost material layers change their dopant type from n-type to p-type. This is made on selected areas of a wafer, so that transistors and laser diodes thereby can be monolithically integrated. The active region (5) of the laser is located in the collector (3-5) of the transistor, what gives a freedom in designing the components and results in that an individual optimization of the two components can be made. The laser and the HBT can thus be given substantially the same structures, as if they had been individually optimized. The laser will for example be the type vertical injection and can therefore get the same performance as discrete lasers.
L'invention concerne un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) et une diode laser (LD) fabriqués à partir d'une structure épitaxiale commune, comprenant une pluralité de couches semiconductrices (1 à 9). Le transistor peut être fabriqué directement dans le matériau tel qu'il se présente au terme des opérations d'épitaxie. En revanche, la structure est modifiée, pour la fabrication de la diode laser, par diffusion (21) de zinc dans le matériau de telle manière que les couches supérieures du matériau changent de type de dopant, passant du type n au type p. Cela est réalisé sur des zones sélectionnées de la tranche de telle manière que les transistors et les diodes laser puissent ainsi être intégrés de façon monolithique. La région active (5) du laser est située dans le collecteur (3-5) du transistor, ce qui autorise une liberté dans le design des composants et, par conséquent, une optimisation individuelle des deux composants. Le laser et le transistor bipolaire à hétérojonction peuvent ainsi avoir sensiblement les mêmes structures comme s'ils avaient été optimisés individuellement. Le laser sera, par exemple, de type à injection verticale, ce qui lui confère les mêmes performances que les lasers discrets.
Eriksson Urban
Evaldsson Patrik
Ericsson Canada Patent Group
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1671262