C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
Patent
CA 2567500
A cooled lump for high-purity polycrystalline silicon raw material that can be appropriately used in the production of crystalline silicon ingot for solar cell; and a process for producing the same. There is provided a cooled lump from molten silicon, produced by causing molten silicon to fall into and to be received by a receiving container, which cooled lump contains bubbles and exhibits (i) an apparent density of 1.5 to 2.2 g/cm3 and (ii) a compressive strength of 5 to 50 MPa. Further, there is provided a process for producing a cooled lump from molten silicon, comprising causing molten silicon to fall into and to be received by a receiving container, wherein the receiving container for receiving molten silicon has a surface temperature of 0~ to 1000~C and wherein molten silicon is received by the receiving container at a rate of 1×10-3 to 5×10-1 g/sec cm2.
Une boule refroidie de matière première de silicium polycristallin de grande pureté qui peut être utilisée de manière adéquate pour la production d~un lingot de silicium cristallin pour une pile solaire ; et un procédé pour la fabrication de celle-ci. Il est fourni une boule refroidie de silicium fondu, fabriquée en faisant tomber du silicium fondu réceptionné dans un contenant de réception, laquelle boule refroidie contient des bulles et démontre (I) une densité apparente de 1,5 à 2,2 g/cm3 et (ii) une résistance à la compression de 5 à 50 Mpa. De plus, il est fourni un procédé pour la fabrication d~une boule refroidie de silicium fondu, comprenant le fait de faire tomber du silicium fondu réceptionné dans un contenant de réception, où le contenant de réception pour la réception du silicium fondu a une température de surface de 0· à 1 000 ·C et où le silicium fondu est réceptionné par le contenant de réception à une vitesse de 1×10?-3¿ à 5×10?-1¿ g/s cm2.
Nakashima Junichirou
Sugimura Shigeki
Wakamatsu Satoru
Macrae & Co.
Tokuyama Corporation
LandOfFree
Mass of silicon solidified from molten state and process for... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Mass of silicon solidified from molten state and process for..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Mass of silicon solidified from molten state and process for... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1778550