Memory device with row shifting for defective row repair

Details Memory device with row shifting for defective row repair Memory device with row shifting for defective row repair

G - Physics

11

C

G11C 29/00 (2006.01)

Patent

CA 2610578

A memory device includes N regular rows of memory cells, L redundant rows of memory cells, a shift circuit, and N word lines, where N > 1 and L > 1. Each word line is associated with a designated row and an alternate row that is L rows away from the designated row. The shift circuit receives the N word lines and couples each word line to either the designated row or the alternate row for that word line. If L is two, then the shift circuit couples even-numbered word lines to even-numbered rows and odd-numbered word lines to odd-numbered rows. The shift circuit may couple each word line to (1) the designated row if this row is non-defective and a preceding word line is not shifted down or (2) the alternate row otherwise.

L'invention concerne un dispositif mémoire comprenant N rangées régulières de cellules mémoire, L rangées redondantes de cellules mémoire, un circuit de décalage et N lignes de mots, N > 1 et L > 1. Chaque ligne de mots est associée à une rangée désignée et à une rangée de remplacement qui est éloignée de L rangées de la rangée désignée. Le circuit de décalage reçoit N lignes de mots et couple chaque ligne de mots soit à la rangée désignée soit à la rangée remplacement de cette ligne de mots. Lorsque L est égal à deux, le circuit de décalage couple des lignes de mots paires avec des rangées paires et des lignes de mots impaires avec des rangées impaires. Le circuit de décalage peut également coupler chaque ligne de mots 1) à la rangée désignée lorsque celle-ci n'est pas défectueuse, une ligne de mots précédente n'étant pas décalée vers le bas, ou 2) autrement à la ligne de remplacement.

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