G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) G11C 11/00 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) H01L 41/18 (2006.01)
Patent
CA 2163739
A composition of materials having ferromagnetic, piezoelectric, and electro-optical properties is disclosed. In the preferred embodiment, the composition of materials (310 and 350) comprises a first layer of Pb(1-x- y)CdxSiy, a second layer of Se(1-z)Sz, and a third layer of Fe(1-w)Cfw, where x, y, z and w are values within the ranges of 0.09 x 0.11, 0.09 y 0.11, 0.09 z 0.11 and 0.18 w 0.30. Additionally, each of the layers contain at least one of the elements of Ag, Bi, O and N. A random-accesible, non-volatile memory built using the invented composition of materials is also disclosed. This memory provides for storing two independent bits of binary information in a single memory cell. Each cell comprises two orthogonal address lines formed on the opposite surface of an Si substrate, a composition of materials of the present invention formed over each of the address lines (340 and 320), and electrode formed over each composition of materials. The data is stored electromagnetically and retrieved as a piezoelectric voltage.
Composition de matières se caractérisant par des propriétés ferromagnétiques, piézoélectriques et électro-optiques. Dans la forme de réalisation préférée la composition de matières (310 et 350) comprend une première couche de Pb(1-x-y)CdxSiy, une deuxième couche de Se(1-z)Sz, et une troisième couche de Fe(1-w)Crw; x, y, z et w représentant des valeurs telles que 0,09 </= x </= 0,11; 0,09 </= y </= 0,11; 0,09 </= z </= 0,11 et 0,18 </= w </= 0,30. De plus, chaque couche contient au moins un des éléments Ag, Bi, O ou N. Une mémoire rémanente à accès direct produite avec la composition de matières de cette invention est également présentée, cette mémoire assure le stockage de deux bits indépendants d'informations binaires dans une seule cellule mémoire. Chaque cellule comprend deux lignes d'adresses orthogonales qui sont formées sur la surface opposée d'un substrat Si, chaque ligne d'adresses (340 et 320) étant recouverte d'une composition de matières de cette invention et chaque composition de matières étant elle-même recouverte d'une électrode. Les données sont stockées de manière électromagnétique et récupérées sous forme d'une tension piezoélectrique.
Kappa Numerics Inc.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
LandOfFree
Memory material and method for its manufacture does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Memory material and method for its manufacture, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Memory material and method for its manufacture will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1740732