H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/00 (2006.01)
Patent
CA 2573907
A method for producing Microelectromechanical Systems (MEMS) and related devices using Silicon-On-Insulator (SOI) wafer includes providing an SOI wafer, performing a mesa etch to at least partially define the MEMS device, bonding the SOI wafer to an interposer by direct boding, removing the handle layer of the SOI wafer, removing the oxide layer of the SOI wafer, and further etching the device layer of the SOI wafer to define the MEMS device. A structure manufactured according to the above described processes includes an interposer comprising an SOI wafer and a MEMS device mounted on the interposer. The MEMS device comprises posts extending from a silicon plate. The MEMS device is directly mounted to the interposer by bonding the posts of the MEMS device to the device layer of the interposer.
Procédé de production de dispositifs de systèmes microélectromécaniques (MEMS) et apparentés à l'aide d'une tranche de silicium sur isolant (SOI), qui consiste à disposer d'une tranche SOI, à effectuer un mésa réalisé par gravure pour définir au moins partiellement le dispositif MEMS, à coller la tranche de SOI sur un interposeur par collage direct, à éliminer la couche de manipulation de la tranche SOI, à éliminer la couche d'oxyde de la tranche de SOI et à graver à nouveau la couche de dispositif de la tranche SOI pour définir le dispositif MEMS. Une structure fabriquée selon les processus susmentionnés comporte un interposeur comportant une tranche de SOI et un dispositif MEMS monté sur l'interposeur. Le dispositif MEMS comporte des montants qui s'étendent à partir d'une plaque de silicium. Ledit dispositif MEMS est monté directement sur l'interposeur par collage des montants du dispositif MEMS sur la couche de dispositif de l'interposeur.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
The Charles Stark Draper Laboratory Inc.
LandOfFree
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