H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/8238 (2006.01)
Patent
CA 2228608
An MIS device (20) includes a semiconducting substrate (22), a silicon nitride buffer layer (24), a ferroelectric metal oxyde superlattice material (26), and a noble metal top electrode (28). The layered superlattice material (26) is preferably a strontium bismuth tantalate, strontium bismuth niobate, or strontium bismuth niobium tantalate. The device is constructed according to a preferred method that includes forming the silicon nitride on the semiconducting substrate prior to deposition of the layered superlattice material. The layered superlattice material is preferably deposited using liquid polyoxyalkylated metal organic precursors that spontaneously generate a layered superlattice upon heating of the precursor solution. UV exposure during drying of the precursor liquid imparts a C-axis orientation to the final crystal, and results in improved thin-film electrical properties.
Dispositif MIS (20) constitué d'un substrat semi-conducteur (22), d'une couche intermédiaire de nitrure de silicium (24) d'un matériau à l'oxyde métallique ferroélectrique en super-réseau (26), et d'une électrode supérieure en métal précieux (28). Le matériau en super-réseau disposé en couche (26) est de préférence du tantalate de bismuth-strontium, du niobate de bismuth-strontium, ou du tantalate de niobium-bismuth-strontium. Le dispositif est élaboré d'après un procédé préféré comprenant la formation du nitrure de silicium sur le substrat semi-conducteur avant dépôt du matériau en super-réseau disposé en couche. Le matériau en super-réseau disposé en couche est déposé de préférence au moyen de précurseurs organiques en métal polyoxyalkylé liquide produisant spontanément un super-réseau en couche après chauffage de la solution de précurseur. L'exposition aux UV au cours du séchage du liquide précurseur imprime au cristal final une orientation selon l'axe C, et confère des propriétés électriques en couche mince améliorées.
Azuma Masamichi
Paz de Araujo Carlos
Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
Matsushita Electronics Corporation
Smart & Biggar
Symetrix Corporation
LandOfFree
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