C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/58 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01)
Patent
CA 2542819
A metal thin film chip production method and a metal thin film chip production device capable of flattening large irregularities on a metal thin film at low costs. The metal thin film chip production device for realizing a metal thin film comprises, inside a container (9), a pressurizing means (13) including an insulating substrate (3) and a pressurizing member (4), a chip mounting table (5), and a heating device (12) including a coil (7) and a power supply (8) for supplying ac current to the coil (7). The container (9) is provided with a vacuum pump (11) for exhausting air in the container (9). A magnetic flux produced by the coil (7) is allowed to penetrate a metal thin film (1) on a metal thin film chip (10) supported on the chip mounting table (5). When a magnetic flux penetrates the metal thin film (1), an eddy current is induced in the metal thin film (1) by means of electromagnetic induction. The metal thin film (1) is heated up to a melting point or near it by this eddy current. A profile on the surface of an insulating substrate (2) or the insulating substrate (3) is transferred onto the metal thin film (1) and is flattened by a load due to the chip mounting table (5).
L'invention concerne un procédé et un dispositif de production de puces à couches minces métallique permettant d'égaliser les irrégularités importantes formées dans la couche mince métallique par des moyens économiques. Le dispositif de production de puces à couche mince métallique permettant de former une couche mince métallique, comprend un boîtier (9), dans lequel sont installés des moyens (13) générateurs de pression comprenant un substrat isolant (3) et un élément (4) générateur de pression, une table (5) d'assemblage de puce, et un dispositif (12) chauffant comprenant un enroulement (7) et une alimentation (8) électrique permettant d'alimenter l'enroulement (7) avec un courant CA. Le boîtier (9) est équipé d'une pompe (11) à vide permettant d'évacuer l'air du boîtier. Un flux magnétique produit par l'enroulement (7) pénètre dans la couche mince métallique (1) formée sur une puce maintenue sur la table (5) d'assemblage. Lorsque le flux magnétique pénètre dans la couche mince métallique (1), un courant de Foucault est créé dans la couche métallique mince (1) par induction électromagnétique. La couche métallique mince (1) est ainsi chauffée au point de fusion ou à une température proche de celui-ci par ce courant de Foucault. Un profil disposé à la surface d'un substrat (2) isolant ou le substrat (3) isolant lui-même, est transféré sur la couche mince métallique (1), puis est aplani sous l'effet d'une charge appliquée par la table (5) d'assemblage de puce.
Suda Yasuo
Sueyoshi Hidekazu
Japan Science And Technology Agency
Macpherson Leslie & Tyerman Llp
LandOfFree
Metal thin film chip production method and metal thin film... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Metal thin film chip production method and metal thin film..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Metal thin film chip production method and metal thin film... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1661691