H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/0272 (2006.01) H01L 31/08 (2006.01) H01L 31/115 (2006.01)
Patent
CA 2759820
A lateral Metal-Semiconductor-Metal (MSM) Photodetector (PD) is based on amorphous selenium (a-Se). It has low dark current, high photoconductive gain towards short wavelengths, and high speed of operation up to several KHz. From processing point of view, a lateral structure is more attractive due to ease of fabrication as well as compatibility with conventional thin-film transistor (TFT) processes. The lateral a-Se MSM PD therefore has potentials in a variety of optical sensing applications particularly in indirect X-ray imaging utilizing scintillators and ultraviolet (UV) imaging for life sciences.
Un détecteur optique (PD) métal-semi-conducteur-métal (MSM) latéral est fait de sélénium amorphe (a-Se). Il a un faible courant d'obscurité, un gain photoconducteur élevé vers les longueurs d'onde courtes et une vitesse de fonctionnement élevée, jusqu'à plusieurs KHz. Du point de vue du traitement, une structure latérale est plus intéressante en raison de la facilité de fabrication ainsi que de la compatibilité avec des processus de transistor en couche mince (TFT) classiques. Le PD MSM a-Se latéral présente par conséquent des potentiels dans une diversité d'applications de détection optique, en particulier dans l'imagerie par rayons X indirecte utilisant des scintillateurs et une imagerie par ultraviolet (UV) pour les sciences de la vie.
Goldan Amirhossein
Karim Karim S.
Wang Kai
Borden Ladner Gervais Llp
Goldan Amirhossein
Karim Karim S.
Wang Kai
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1464182