C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/24 (2006.01) C01B 33/027 (2006.01) C01B 33/035 (2006.01)
Patent
CA 2386382
The production of bulk polysilicon by a chemical vapor deposition process on a tube section. A quartz envelope (31) and a base plate (34) form a CVD reactor enclosure, with external radiant heaters (33) providing heat through the wall of the reactor, and with gas inlet (35) and outlet (36) ports located in base plate (34). A tube section (32), preferably an EFG silicon tube section, vertically emplaced on base plate (34) and capped (43) to close the top is used as the reaction chamber. Deposition occurs on the inside surface of the chamber tube (32), the inner diameter of the deposit layer becoming increasingly smaller as the yield accumulates. In a two tube reactor, vertical middle tube (46) is supported inside the chamber tube for full flow of process gas over and under the middle tube (46) so that deposition occurs on the three exposed tube surfaces.
L'invention concerne la production de silicium polycristallin massif par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur sur une section de tube. Une enveloppe de quartz (31) et une plaque de base (34) forment l'enceinte d'un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur, des dispositifs chauffants radiants (33) fournissant de la chaleur à travers la paroi du réacteur et des orifices d'entrée (35) et de sortie (36) de gaz étant prévus dans la plaque de base (34). Une section de tube (32), de préférence une section de tube en silicium EFG, placée verticalement sur la plaque de base (34) et coiffée (43), de manière que son sommet soit fermé, est utilisée comme chambre de réaction. Le dépôt s'effectue sur la surface intérieure du tube (32) de la chambre, le diamètre intérieur de la couche de dépôt étant de plus en plus petit à mesure que la matière s'accumule. Dans un réacteur à deux tubes, un tube vertical médian (46) est supporté à l'intérieur de la chambre, de sorte que le gaz de traitement s'écoule intégralement sur le tube médian (46) et au-dessous, et que le dépôt soit assuré sur les trois surfaces de tube exposées.
Chandra Mohan
Gupta Kedar
Jafri Ijaz
Prasad Vishwanath
Talbott Jonathan
G.t. Equipment Technologies Inc.
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
LandOfFree
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