H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/08 (2006.01) G02F 1/01 (2006.01) H01L 31/02 (2006.01)
Patent
CA 2213017
A method and apparatus for generating and controlling the propagation of electrons in a semiconductor material using a plurality of beams of coherent light is disclosed. The direction and magnitude of propagation of the electrons in the semiconductor are controlled by varying the polarization of the coherent beams with respect to the semiconductor material, and in particular the crystallographic axis of the semiconductor material. The electrons are generated and controlled by use of three coherent beams which are related such that the frequency of one of the beams is substantially equal to the sum of the frequencies of the other beams, and the first beam produces substantially the same number of electrons in the semiconductor material that the other beams produce together. A selected region of the semiconductor material is simultaneously irradiated with all of the beams of light. The semiconductor material is at approximately room temperature. Holes are also generated and propagate in a direction opposite to the direction of propagation of the electrons.
Méthode et appareil permettant de produire des électrons et d'en commander la propagation dans un matériau semi-conducteur au moyen d'un certain nombre de faisceaux de lumière cohérente. Pour commander la direction et l'ampleur de la propagation dans le semi-conducteur, on varie la polarisation des faisceaux cohérents par rapport au matériau semi-conducteur, et en particulier l'axe cristallographique de ce dernier. Les électrons sont produits et commandés au moyen de trois faisceaux cohérents qui sont associés de telle façon que la fréquence de l'un est essentiellement égale à la somme des fréquences des autres, et le premier faisceau produit essentiellement le même nombre d'électrons dans le matériau semi-conducteur que les autres faisceaux réunis. Une région choisie du matériau semi-conducteur est irradiée simultanément par tous les faisceaux de lumière. Le matériau semi-conducteur est environ à la température ambiante. Des trous sont également produits et se propagent dans le sens contraire de la propagation des électrons.
Sipe John Edward
Van Driel Henry M.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
Sipe John Edward
Van Driel Henry M.
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