C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/04 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/50 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01)
Patent
CA 2419353
A mask is placed over a center portion of a deposition source to limit angle of the flux from the source. A substrate (102A) or device with a vertical surface (104A) (referenced to a major surface of the substrate or device) is rotated past the deposition source (112A) to coat the vertical surface with material from the source. In a particular embodiment, the source is a gold sputtering target and a mirror is formed on a vertical surface of a MEMS structure having a depth of about 70-75 microns and a set-back of about 200- 250 microns by sputtering about 1000 Angstroms of gold onto the vertical surface.
Selon le procédé de cette invention, on place un masque au-dessus d'une partie centrale d'une source de dépôt afin de réduire l'angle du flux provenant de la source. Un substrat (102A) ou dispositif présentant une surface verticale (104A) (référencée par rapport à une surface principale du substrat ou dispositif) est mis en rotation devant la source de dépôt (112A) afin de recouvrir la surface verticale d'un matériau provenant de la source. Selon une réalisation spécifique, la source est une cible de pulvérisation d'or, et un miroir est formé sur la surface verticale d'une structure intégrant des systèmes microélectromécaniques et ayant une profondeur comprise entre environ 70 et 75 microns et un retrait compris entre environ 200 et 250 microns par pulvérisation d'environ 1000 Angströms d'or sur la surface verticale.
Jds Uniphase Corporation
Teitelbaum & Maclean
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1716224