G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/20 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01)
Patent
CA 2288021
In electron beam lithography, a lithography system uses multiple microcolumns in an array to increase throughput for direct writing of semiconductor wafers. The mismatch between the microcolumn array and the semiconductor die periodicity is resolved by using only one microcolumn to scan each individual die. This is accomplished by assuring that the stage carrying the semiconductor wafer moves a total distance in each of the X and Y directions which is greater than the pitch between adjacent die. Hence each die is scanned by only a single microcolumn although at possibly different times during the total stage motion.
En gravure par faisceau d'électrons, un système de gravure utilise plusieurs microcolonnes d'un groupement de microcolonnes pour augmenter la vitesse de gravure de plaquettes en semiconducteur. Le défaut d'appariement entre ledit groupement de microcolonnes et l'implantation des puces de semiconducteur peut être corrigé à l'aide d'une seule colonne, utilisée pour balayer chaque puce. Pour effectuer ce balayage, on doit s'assurer que l'étage portant ladite plaquette en semiconducteur se déplace dans la direction des x et dans la direction des y sur une distance supérieure à la distance séparant des puces adjacentes. Chaque puce est donc balayée à l'aide d'une seule microcolonne, et ce éventuellement à plusieurs reprises, au cours du déplacement sur l'étage.
Berglund C. Neil
Chang Tai-Hon Philip
Etec Systems Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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