H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 37/32 (2006.01)
Patent
CA 2387432
Plasma etching or deposition is performed over substrates using spatially localized micro-plasmas operating in par- allel with each other. A plasma generating electrode is positioned closely adjacent to an exposed surface of the substrate, as on the surface of a dielectric layer applied to the substrate. A selected pressure of the gas in the region of the electrode and the substrate is established, and a voltage is applied between the plasma generating electrode and the substrate or a second electrode to ignite a plasma in the region between the plasma generating electrode and the substrate for a selected period of time. This plasma is limited to the region of the plasma generating electrode adjacent to the exposed surface so that the substrate is plasma treated in a desired pattern.
Cette invention concerne un procédé d'attaque et de dépôt plasmatiques sur des substrats au moyen de micro-plasmas localisés spatialement et agissant parallèlement les uns aux autres. Une électrode génératrice de plasma est disposée tout contre une surface exposée du substrat, comme sur la surface d'une couche diélectrique appliquée sur le substrat. On applique sous une pression déterminée du gaz dans la région de l'électrode et du substrat, ainsi qu'une tension entre l'électrode génératrice de plasma et le substrat ou une seconde électrode de manière à enflammer le plasma dans la région entre l'électrode génératrice de plasma et le substrat pendant un laps de temps déterminé. Ce plasma est limité à la région de ladite électrode qui se trouve contre la surface exposée de manière à ce que le substrat soit traité par plasma selon un motif déterminé.
Gianchandani Yogesh B.
Wilson Chester G.
Borden Ladner Gervais Llp
Wisconsin Alumni Research Foundation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1346320