H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/308 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) G03F 7/24 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01) H01L 21/268 (2006.01) H05K 1/00 (2006.01) H05K 3/00 (2006.01)
Patent
CA 2089240
An apparatus and method for the nonplanar treatment of a volumetric workpiece or substrate utilizing exposure beam lithography are disclosed. The method includes supplying one or more layers of one or more semiconductor materials to surfaces of the substrate, applying a resist over the semiconductor layers, setting the resist, and then directing an exposure beam, such as an electron beam, toward the substrate. The substrate is then moved in at least two degrees freedom of movement, relative to the beam, with one degree of freedom of movement being the rotating of the substrate about an axis generally perpendicular to the beam. The other degree of freedom of movement could be moving the substrate linearly in a direction generally parallel to the axis. By such movement, the resist is exposed to the beam in a predetermined pattern. The exposed resist is then developed and a layer or layers under the exposed resist are etched. The remaining resist is then removed yielding the desired semiconductor device.
Appareil et méthode pour le traitement non planaire d'une pièce à travailler ou d'un substrat volumétriques utilisant la lithographie à faisceau d'exposition. La méthode comprend les étapes suivantes : fournir une ou plusieurs couches d'un ou de plusieurs matériaux semi-conducteurs aux surfaces du substrat, appliquer une réserve sur les couches semi-conductrices, fixer la réserve et diriger un faisceau d'exposition, comme un faisceau électronique, vers le substrat. Ce dernier est ensuite déplacé d'au moins deux degrés de liberté de mouvement, par rapport au faisceau, avec un degré étant la rotation du substrat autour d'un axe généralement perpendiculaire au faisceau. L'autre degré de liberté de mouvement pourrait être de déplacer le substrat de manière linéaire dans une direction généralement parallèle à l'axe. Par ce déplacement, la réserve est exposée au faisceau dans un motif prédéterminé; elle est ensuite développée et une ou des couches sont gravées sous la réserve exposée. La réserve restante est ensuite retirée laissant le dispositif semi-conducteur désiré.
Jacobsen Stephen C.
Smart & Biggar
LandOfFree
Method and apparatus for fabrication of thin film... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method and apparatus for fabrication of thin film..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method and apparatus for fabrication of thin film... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1577703