C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/34 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
Patent
CA 2581626
A process and apparatus for growing a group (III) metal nitride film by remote plasma enhanced chemical vapour deposition are described. The process comprises heating an object selected from the group consisting of a substrate and a substrate comprising a buffer layer in a growth chamber to a temperature in the range of from about 400~C to o about 750~C, producing active neutral nitrogen species in a nitrogen plasma remotely located from the growth chamber and transferring the active neutral nitrogen species to the growth chamber. A reaction mixture is formed in the growth chamber, the reaction mixture containing a species of a group (III) metal that is capable of reacting with the nitrogen species so as to form a group (III) metal nitride film and a film of group (III) s metal nitride is formed on the heated object under conditions whereby the film is suitable for device purposes. Also described is a group (III) metal nitride film which exhibits an oxygen concentration below 1.6 atomic%.
L'invention concerne un procédé et un appareil permettant de faire croître un film de nitrure métallique de groupe (III) par l'intermédiaire d'un procédé DCPV amélioré au plasma à distance. Ce procédé consiste à chauffer un objet sélectionné parmi un groupe comprenant un substrat et un substrat pourvu d'une couche tampon dans une chambre de croissance, à une température comprise entre environ 400 °C et environ 750 °C, à produire une espèce d'azote neutre actif dans un plasma d'azote situé à distance de la chambre de croissance et à transférer ladite espèce d'azote neutre actif vers ladite chambre. Un mélange de réaction est formé dans la chambre de croissance, ledit mélange contenant une espèce d'un métal de groupe (III) capable de réagir avec l'espèce d'azote de manière à former un film de nitrure métallique de groupe (III) et un film de nitrure métallique de groupe (III) est formé sur l'objet chauffé dans certaines conditions, selon lesquelles le film est approprié à une utilisation avec des dispositifs. Cette invention a aussi pour objet un film de nitrure métallique de groupe (III) qui présente une concentration d'oxygène inférieure à 1,6 % atomique.
Butcher Kenneth Scott Alexander
Chen Patrick Po-Tsang
Johnson David Ian
Ten Have John Leo Paul
Wintrebert Ep Fouquet Marie-Pierre Francoise
Borden Ladner Gervais Llp
Gallium Enterprises Pty Ltd
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1521590