C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/037 (2006.01) C01B 33/02 (2006.01)
Patent
CA 2661036
Methods and apparatus for the commercial-scale production of purified polycrystalline silicon granules with one or more tailored levels of n- and p- type impurities from an impure silicon source such as, for example, metallurgical-grade silicon. Purification systems and methods involve: (1) one or more series of temperature controlled reactors or vessels provided with dual fluidized beds wherein solids and gases are transported so that varying degrees of purification and deposition of solid silicon is accomplished by strict control of temperature and residence time; (2) separation and recovery of the compounds of high-melting-point impurities such as, for example, FeSi and FeI2; (3) purification, separation, and recycling of silicon tetraiodide; (4) separation and recovery of iodide compounds of lower-boiling-point liquid impurities such as for example, AlI3, in a continuous fractional distillation column, facilitated by an iodine reflux; (5) separation and recovery of very fine solid particles including impurity iodides and elemental silicon in a liquid mixture downstream of a fractional distillation column; (6) recovery of input iodine from the oxidation of both solid and liquid iodide impurity waste streams from the process.
Procédés et appareil pour la production à l'échelle industrielle de granulés de silicium polycristallin purifié ayant un ou plusieurs niveaux adaptés à la demande d'impuretés de type n et de type p à partir d'une source de silicium impur telle que, par exemple, du silicium de qualité métallurgique. Les systèmes et procédés de purification comprennent : (1) une ou plusieurs séries de réacteurs ou cuves à température contrôlée pourvus de lits fluidisés doubles dans lesquels les matières solides et les gaz sont transportés de façon à réaliser des degrés variables de purification et de dépôt de silicium solide par un contrôle strict de la température et du temps de séjour ; (2) la séparation et la récupération des composés d'impuretés de point de fusion élevé telles que, par exemple, FeSi et FeI2 ; (3) la purification, la séparation et le recyclage du tétraiodure de silicium ; (4) la séparation et la récupération de composés iodures d'impuretés liquides de plus faible point d'ébullition telles que, par exemple, AlI3, dans une colonne de distillation fractionnée en continu, facilitées par un reflux d'iode ; (5) la séparation et la récupération des très fines particules solides comprenant des iodures d'impuretés et du silicium élémentaire dans un mélange liquide en aval d'une colonne de distillation fractionnée ; (6) la récupération de l'iode introduit à partir de l'oxydation des rejets d'impuretés de type iodures à la fois liquides et solides provenant du procédé.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Iosil Energy Corporation
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