Method and apparatus for ion formation in an ion implanter

Details Method and apparatus for ion formation in an ion implanter Method and apparatus for ion formation in an ion implanter

H - Electricity

01

L

H01L 21/265 (2006.01) H01J 27/02 (2006.01) H01J 27/16 (2006.01) H05H 1/46 (2006.01)

Patent

CA 2207773

An ion source embodying the present invention is for use in an ion implanter. The ion source comprises a gas confinement chamber having conductive chamber walls that bound a gas ionization zone. The gas confinement chamber includes an exit opening to allow ions to exit the chamber. A base positions the gas confinement chamber relative to structure for forming an ion beam from ions exiting the gas confinement chamber. A supply of ionizable material routes the material into the gas confinement chamber. An antenna that is supported by the base has a metallic radio frequency conducting segment mounted directly within the gas confinement chamber to deliver ionizing energy into the gas ionization zone.

La présente invention est une source d'ions utilisés dans un appareil d'implantation d'ions. Cette source comprend une chambre de confinement de gaz à parois conductrices délimitant une région d'ionisation du gaz. Cette chambre de confinement comporte une ouverture d'évacuation des ions. Un socle sert à positionner la chambre de confinement par rapport à une structure de formation de faisceaux d'ions avec les ions sortant de la chambre de confinement. La chambre de confinement est alimentée avec un matériau ionisable. Une antenne supportée par le socle comporte un segment conducteur métallique d'émission radiofréquence qui est monté directement dans la chambre de confinement pour injecter l'énergie d'ionisation dans la région d'ionisation du gaz.

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