C - Chemistry – Metallurgy – 25 – F
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
25
F
C25F 3/02 (2006.01) H01L 21/304 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
Patent
CA 2353479
A method of low-damage, anisotropic etching and cleaning of substrates including mounting the substrate upon a mechanical suport located within the positive column of a plasma discharge generated by either an ac or dc plasma reactor. The mechanical support is independent of the plasma reactor generating apparatus and capable of being electrically biased. The substrate is subjected to the positive column, or electrically neutral portion, of a plasma of low-energy electrons and a species reactive with the substrate. An additional structure capable of being electrically biased can be placed within the plasma to control further the extraction or retardation of particles from the plasma.
Procédé sans risques, de gravure et de nettoyage anisotropes de substrats consistant à monter le substrat sur un support mécanique placé à l'intérieur de la colonne positive d'une décharge de plasma générée par un réacteur à courant alternatif ou continu. Ce support mécanique est indépendant du dispositif de génération de réaction de plasma et peut être polarisé électriquement. On soumet le substrat à la colonne positive ou à une partie neutre électriquement d'un plasma d'électrons basse énergie et à une espèce réactive avec le substrat. On peut placer une structure supplémentaire pouvant être polarisée électriquement à l'intérieur du plasma afin de continuer à commander l'extraction ou le retard des particules émanant du plasma.
Choutov Dimitri A.
Gillis Harry P.
Martin Kevin P.
Georgia Tech Research Corporation
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l.,s.r.l./llp
LandOfFree
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