C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 30/08 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01)
Patent
CA 2275640
The present invention relates to a manufacturing method for a monocrystal and to a monocrystal manufacturing device. The present invention relates to a technology for manufacturing a granular monocrystal, wherein: melt of melted raw material is made into a supercooled spherical melt; while the melt is levitated under microgravitational conditions, the free energy of a portion of the surface of the melt is reduced, and a monocrystal is grown. A monocrystal manufacturing device 31 comprises: a gold image furnace 35, a chamber 33, a raw material supply/retention mechanism 38; a drop tube 36 and a drop tube 37; a rotating plate 39; a recovery vat 40; and the like. Raw material 32a of semiconductor material is heated and melted and allowed to free fall in a vacuum inside drop tubes 36, 37. During the drop, rotating plate 39 comes into contact with a portion of the surface of supercooled spherical melt 32b, and a crystal nucleus is generated. From this crystal, a monocrystal is grown, and a spherical monocrystal 32c is formed, and this is recovered in recovery vat 40.
Ce procédé consiste faire subir une surfusion à un matériau brut fondu, et à le laisser flotter à une gravité très faible, afin d'abaisser l'énergie libre d'une partie de la surface de ce matériau fondu, et donc de faire pousser un monocristal. Ce dispositif (31) de fabrication d'un monocristal possède un four du type à couche dorée (35), une chambre (33), un mécanisme (38) d'alimentation en matériau brut et de rétention, des tubes de descente (36, 37), une plaque tournante (39) et un bain de récupération (40). On fait fondre un matériau brut semi-conducteur (32a) puis on le fait chuter librement dans un vide, dans les tubes de descente (36, 37). Lors de la chute de la matière en fusion, une partie de la surface de chaque gouttelette (32b) sphérique, fondue et ayant subi une surfusion, est mise en contact avec la surface solide de la plaque tournante (39), afin de former un noyau cristallin, à partir duquel on fait pousser un monocristal pour obtenir un monocristal sphérique (32c), que l'on fait ensuite pénétrer dans le bain de récupération (40).
Adams Thomas
Nakata Josuke
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1818866