Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Details Method and apparatus for manufacturing semiconductor device Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 21/77 (2006.01) H01L 21/68 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2330866

Two pieces of semiconductor wafers 10 1 and 10 2 to be stacked and fused together are secured to wafer holders 20 1 and 20 2 respectively, and are then integrally held at a wafer hold unit 2. Rough position alignment is first applied to these semiconductor wafers 10 1 and 10 2 while supplying infrared light thereto from an infrared light source 30 of an infrared light system 3 for detection of a resultant lattice image at a detection unit 5. Then, fine position alignment is performed while supplying laser light from an laser light source 40 of a laser light system 4 for detection of a resultant diffraction image at the detection unit 5. Thus, in the manufacture of a semiconductor device having its crystal structure with three-dimensional periodical refractive index distribution employing precision multilayer stack methods by using a wafer fusion, a method and apparatus for manufacturing the semiconductor device is realized which is capable of achieving precise position alignment between lattice layers stacked over each other with reduced complexity in position alignment thereof.

Deux pièces de semi-conducteurs étagés (10 1 et 10 2) à être empilées et fusionnées ensemble sont fixées aux douilles de gaufrettes (20 1 et 20 2 respectivement) et sont ensuite intégralement maintenues dans une unité de retenue (2). Un alignement de position brut est d'abord appliqué aux semi-conducteurs étagés (10 1 et 10 2), parallèlement à la transmission d'une lumière infrarouge en provenance d'une source de lumière infrarouge (30) d'un système de lumière infrarouge (3) pour détecter une image de treillis résultante à l'unité de détection (5). Ensuite, un alignement de position précis est exécuté, parallèlement à la transmission d'une lumière en provenance d'une source de lumière laser (40) d'un système de lumière laser (4) pour détecter une image de diffraction résultante à l'unité de détection (5). Ainsi, dans la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ayant une structure cristalline avec une distribution d'indice de réfraction périodique tridimensionnel au moyen de méthodes d'empilage multicouche à précision par la fusion des gaufrettes, l'invention prévoit une méthode et un appareil pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteurs qui sont aptes à assurer un alignement de position précis entre les couches de treillis empilées l'une sur l'autre, tout en réduisant la complexité dans leur alignement de position.

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