G - Physics – 01 – H
Patent
G - Physics
01
H
G01H 13/00 (2006.01)
Patent
CA 2522838
A device for measuring thickness and/or rate of thickness increase of a film comprises at least one piezoelectric element, and first and second electrodes in contact with the piezoelectric element. A method of measuring thickness and/or rate of thickness increase of a film comprises applying a voltage across a piezoelectric element from a first electrode to a second electrode, thereby causing the piezoelectric element to vibrate, and measuring the rate of vibration of the piezoelectric element. Heat may be applied to the piezoelectric element. The piezoelectric element may be formed of quartz crystal, e.g., IT-cut.
La présente invention concerne un dispositif pour mesurer une épaisseur et/ou un taux d'augmentation d'épaisseur d'un film. Ce dispositif comprend au moins un élément piézoélectrique, une première électrode et une seconde électrode qui sont en contact avec cet élément piézoélectrique. La présente invention concerne également un procédé pour mesurer une épaisseur et/ou un taux d'augmentation d'épaisseur d'un film, qui consiste à appliquer une tension sur un élément piézoélectrique à partir de la première électrode jusqu'à la seconde électrode, ce qui induit une vibration de l'élément piézoélectrique, puis à mesurer le taux de vibration de l'élément piézoélectrique. De la chaleur peut être appliquée sur l'élément piézoélectrique. Cet élément piézoélectrique peut être constitué d'un cristal de quartz, tel que du quartz de coupe IT.
Dimock Stratton Llp
Tangidyne Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1890504