C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/00 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01)
Patent
CA 2508883
A method and apparatus for producing bulk single crystals (7) of AIN includes a crystal growth enclosure (9) with Al and N2 source (11) material therein, capable of forming bulk crystals. The apparatus maintains the N2 partial pressure at greater than stoichiometric pressure relative to the Al within the crystal growth enclosure (9), while maintaining the total vapor pressure in the crystal growth enclosure (9) at super-atmospheric pressure. At least one nucleation site (19) is provided in the crystal growth enclosure (9), and provision is made for cooling the nucleation site relative to other locations in the crystal growth enclosure (9). The Al and N2 vapor is then deposited to grow single crystalline AIN (7) at the nucleation site (19).
L'invention concerne un procédé et un dispositif permettant de produire des cristaux massifs d'AlN. Le dispositif comprend une enceinte de croissance cristalline contenant une source d'Al et de N¿2?, capables de former des cristaux massifs. Ce dispositif maintient la pression partielle de N¿2? à un niveau plus élevé que la pression stoechiométrique, relativement à l'Al, à l'intérieur de l'enceinte de croissance cristalline, tout en maintenant la pression de vapeur totale dans l'enceinte à un niveau supra-atmosphérique. L'enceinte de croissance cristalline contient au moins un site de nucléation, ainsi que des moyens permettant de refroidir le site de nucléation relativement à d'autres emplacements de l'enceinte. De la vapeur d'Al et de N¿2? est ensuite déposée afin de provoquer la croissance d'AlN monocristallin dans le site de nucléation.
Rojo J. Carlos
Schowalter Leo J.
Slack Glen A.
Crystal Is Inc.
Nexus Law Group Llp
LandOfFree
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