Method and apparatus for producing thin films

Details Method and apparatus for producing thin films Method and apparatus for producing thin films

C - Chemistry, Metallurgy

23

C

C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01) C23C 16/14 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/452 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01) C23C 16/509 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)

Patent

CA 2191457

To deposit a film on a substrate (22) by plasma- enhanced chemical vapor deposition at temperatures sub- stantially lower than conventional thermal CVD temper- atures, a substrate is placed within a reaction chamber (12) and a first gas is excited upstream of the substrate to generate activated radicals of the first gas. A second gas is supplied proximate the substrate to mix with the activated radicals of the first gas and the mixture pro- duces a surface reaction at the substrate to deposit a film. Rotation of the substrate draws the gas mixture down to the substrate surface in a laminar flow (29) to reduce re- circulation and radical recombination. Another method utilizes a gas-dispersing showerhead (298) that is biased with RF energy to form an electrode which generates ac- tivated radicals and ions in a concentrated plasma close to the substrate surface.

Pour déposer une couche sur un substrat (22) par dépôt chimique en phase vapeur amplifiée au plasma à des températures sensiblement inférieures aux températures de dépôt chimique en phase vapeur usuelles, on place un substrat dans une chambre de réaction (12) et on excite, en amont du substrat, un premier gaz pour produire des radicaux activés du premier gaz. On introduit un second gaz à proximité du substrat qui se mélange aux radicaux activés du premier gaz, leur mélange engendrant à la surface une réaction en surface entraînant le dépôt de la couche. La rotation du substrat attire le mélange de gaz vers sa surface en un flux laminaire (29) qui atténue la recirculation et la recombinaison des radicaux. Une autre méthode consiste à utiliser une pomme de douche (298) dispersant le gaz polarisée par une fréquence HF de façon à constituer une électrode qui produit des radicaux activés et des ions dans un plasma concentré à proximité de la surface du substrat.

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