G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 16/10 (2006.01) G06F 12/12 (2006.01) G11C 29/00 (2006.01)
Patent
CA 2636237
For recording or replaying in real-time digital high bandwidth video signals, e.g. HDTV, HD progressive or HD film capture signals, very fast memories are required. For storage of streaming HD video data NAND FLASH memory based systems could be used. Flash memory devices are physically accessed in a page oriented mode. According to the invention, the input data are written in a multiplexed fashion into a matrix of multiple flash devices. A list processing is performed that is as simple and fast as possible, and defect pages of flash blocks of single flash devices are addressed within the matrix architecture. When writing in a sequential manner, the data content for the current flash device page of all flash devices of the matrix is copied to a corresponding storage area in an additional memory buffer. After the current series of pages has been written without error into the flash devices, the corresponding storage area in an additional memory buffer is enabled for overwriting with following page data. In case an error occurred in the current page in one or more flash devices, the content of these current pages is kept in the additional memory buffer.
La présente invention concerne des mémoires très rapides qui sont requises pour enregistrer ou jouer à nouveau dans des signaux vidéo à grande largeur de bande numérique en temps réel, par exemple HDTV, des signaux de capture de film HD ou HD progressif. Pour le stockage de données vidéo diffusées en continu, des systèmes basés sur la mémoire flash NAND peuvent être utilisés. Des dispositifs de mémoire flash sont rejoints physiquement dans un mode orienté page. Selon l~invention, les données d~entrée sont écrites dans un mode démultiplexé dans l~architecture de matrice. En écrivant d~une manière séquentielle, le contenu des données pour la page du dispositif flash actuel de tous les dispositifs flash de la matrice est copié dans une zone de stockage correspondante dans un tampon mémoire additionnel. Après que la série de pages actuelle ait été écrite sans erreur dans les dispositifs flash, la zone de stockage correspondante dans un tampon mémoire additionnel est activée pour écraser avec les données de page suivante. Dans le cas où une erreur survient dans la page actuelle dans un ou plusieurs dispositifs flash, le contenu de ces pages actuelles est conservé dans le tampon mémoire additionnel.
Brune Thomas
Wittenburg Jens Peter
Fetherstonhaugh & Co.
Thomson Licensing
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1664074