H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 37/302 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01)
Patent
CA 2249573
An electron beam pattern generating system for exposing a pattern on a substrate using a raster scan method. The system stores a rasterized representation of the pattern as a plurality of regular pixel dose exposure levels. These pixel dose exposure levels are evaluated by the system for one or more proximity effects and corrections to the dose exposure level and/or pixel location are calculated. The system includes apparatus for both calculation and storage of intermediate and final results as required. As they are calculated, the corrections are provided to an exposure dose modulator wherein they are applied to forming the pattern. Thus corrections for both long range and short range proximity effects due to both electron scattering and heating as well as for proximity effects due to global thermal expansion can be calculated and provided during run-time and a corrected pattern exposed.
L'invention concerne un système de tracé de motif par faisceau électronique utilisé pour exposer un motif sur un substrat, selon un procédé de balayage ligne par ligne. Le système enregistre une représentation du motif obtenue par ce procédé de balayage, sous la forme d'une pluralité de niveaux gradués d'exposition par dose de pixels. Ces niveaux d'exposition par dose de pixels sont calculés par le système de façon à générer un ou plusieurs effets de proximité, puis le système calcule des corrections de niveaux d'exposition par dose et/ou des corrections de position du pixel. Le système comporte un appareil capable de calculer et enregistrer, au besoin, des résultats intermédiaires ou définitifs. Les corrections calculées sont transmises à un modulateur de dose d'exposition, à la suite de quoi elles sont utilisables pour le tracé du motif. Les corrections relatives aux effets de proximité à long terme et à court terme dus à la diffusion d'électrons et au chauffage, de même que celles relatives aux effets de proximité dus à la dilatation globale, peuvent être calculées et mises en oeuvre pendant l'exécution, ce qui permet d'exposer un motif corrigé.
Babin Sergey
Innes Robert
Trost David
Varner Jeffrey
Veneklasen Lee H.
Etec Systems Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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