Method and apparatus for storing data using spin-polarized...

H - Electricity – 01 – J

Patent

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H01J 29/48 (2006.01) G11B 9/10 (2006.01)

Patent

CA 2234392

A data storage device including a substrate, a data storage layer on the substrate, and a spin-polarized electron source. The data storage layer comprises a fixed number of atomic layers of a magnetic material which provide the data storage layer with a magnetic anisotropy perpendicular to a surface of the data storage layer. A data magnetic field is created in the data storage layer. The data magnetic field is polarized either in a first direction corresponding to a first data value or in a second direction corresponding to a second data value. Data is stored in the data storage layer by providing a spin-polarized electron having an electron magnetic field with a direction of polarization corresponding to one of the first and the second data values, the electron having a wavelength "characteristic" of unpaired electrons in the data storage layer which cause the magnetic moment of the material, and directing the spin-polarized electron at the data magnetic field to impart the direction of polarization of the electron magnetic field to the data magnetic field. Data is read from the data storage layer by directing the spin-polarized electron at a second wavelength at the data magnetic field and detecting a deflection or attraction of the spin-polarized electron by the data magnetic field. Alternatively, data is read from the data storage layer by directing the spin-polarized electron at the data magnetic field so that the magnetic medium produces a secondary electron and then detecting certain characteristics of the secondary electron.

Dispositif de stockage de données, comprenant un substrat, une couche de stockage de données et une source d'électrons à spin polarisé. La couche de stockage de données comprend un nombre fixe de couches atomiques d'un matériau magnétique qui donnent à cette couche de stockage une anisotropie magnétique perpendiculaire à sa surface. Un champ magnétique de données est créé dans la couche de stockage de données. Le champ magnétique de données est polarisé soit dans une première direction correspondant à une première valeur de données, soit dans une deuxième direction correspondant à une deuxième valeur de données. Le stockage des données dans la couche de stockage se fait au moyen d'un électron à spin polarisé dont le champ magnétique est polarisé dans une direction correspondant à la première ou à la deuxième valeurs de données et dont la longueur d'onde est « caractéristique » d'électrons non appariés dans la couche de stockage de données, qui donnent au matériau son moment magnétique; la direction du spin de polarisation de l'électron dans le champ magnétique de données imprime à ce dernier une polarisation correspondant au champ magnétique de données. La lecture des données de la couche de stockage se fait en dirigeant le spin de polarisation de l'électron à une deuxième longueur d'onde dans le champ magnétique de données, et en détectant une déviation ou une attraction de l'électron par le champ magnétique de données. Ou encore, cette lecture se fait en dirigeant le spin de polarisation de l'électron dans le champ magnétique de données de sorte que le support magnétique produise un électron secondaire, puis en détectant certaines caractéristiques de l'électron secondaire.

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