C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/54 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01)
Patent
CA 2220354
In a method using organic vapor phase deposition (OVPD), for the growth of thin films of organic material, a volatile precursor of each component of the organic material is carried as a vapor to a hot-wall reaction chamber by independently controlled streams of carrier gas.
Dans un procédé de dépôt chimique en phase vapeur organique pour la croissance de pellicules fines de sels organiques optiquement non linéaires, un précurseur volatil de chaque composant du sel est acheminé sous forme de vapeur jusqu'à une chambre de réaction à paroi chaude par des flux de gaz de transport régulés de façon indépendante. Les composants réagissent pour former une pellicule fine polycristalline sur des substrats de verre et d'or. Les réactifs et produits de réaction en excès sont éliminés du système par le gaz de transport. Le procédé permet par exemple la croissance de pellicules fines polycristallines, optiquement non linéaires, de 4'-diméthylamino-N-méthyl-4-stilbazolium tosylate (DAST) d'une pureté supérieure à 95 %.
Ban Vladimir S.
Burrows Paul E.
Forrest Stephen R.
Schwartz Jeffrey
Moffat & Co.
The Trustees Of Princeton University
LandOfFree
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