G - Physics – 01 – J
Patent
G - Physics
01
J
G01J 5/00 (2006.01)
Patent
CA 2108571
The method involves detecting at an instant t a discontinuity in reflection from a layer of active material having reflection discontinuity at a known temperature in order to determine the temperature which should be shown by a temperature measuring means (pyrometer (14)) at this instant t. The device according to the invention sends an electromagnetic wave (11) to the active material and senses (12), measures and analyses (32, 31, 33) the intensity of radiation reflected by this material in order to determine the discontinuity involved. The reference wafers (18) advantageously consist of a thin layer of active material deposited on a thin separating layer, itself deposited on a thin layer substrate. The active material layer is additionally covered by a protective layer. A pyrometer (14) used in ovens (15) for rapid heat treatment of semiconductor wafers (18) can be calibrated in this way.
2108571 9219943 PCTABS00160 La présente invention concerne un procédé et un dispositif d'étalonnage d'un pyromètre optique et des plaquettes étalons correspondantes. Le procédé consiste à détecter à un instant t une discontinuité de réflexion dans une couche de matériau actif présentant une discontinuité de réflexion à une température connue, afin de connaître la température que doit afficher un moyen de mesure de la température (pyromètre (14)) à cet instant t. Le dispositif selon l'invention envoie une onde électromagnétique (11) sur le matériau actif et capte (12), mesure et analyse (32, 31, 33) l'intensité du rayonnement réfléchi par ce matériau pour détecter la discontinuité recherchée. Les plaquettes étalons (18) sont avantageusement constituées en une couche mince de matériau actif, déposée sur une couche mince de séparation elle-même déposée sur une couche mince formant support. La couche de matériau actif est en outre recouverte d'une couche de protection. La présente invention permet l'étalonnage de pyromètre (14) associé à des fours de traitement thermique rapide (15) pour plaquettes (18) semiconductrices.
Dilhac Jean-Marie
Ganibal Christian
Rousset Bernard
Communaute Economique Europeenne (cee)
Mcfadden Fincham
LandOfFree
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