H - Electricity – 05 – H
Patent
H - Electricity
05
H
H05H 15/00 (2006.01) G21G 1/10 (2006.01) H05H 6/00 (2006.01) H05H 7/00 (2006.01)
Patent
CA 2477960
A method of compressing a substance by impact in axisymmetric relativistic vacuum diodes (RVD) having a plasma cathode and an anode-enhancer including: producing an axisymmetric target of a condensed substance, which functions at least as a part of the anode-enhancer; axially placing said electrodes; and pulse discharge of a power source via the RVD. To compress a substantial portion of the target substance to a superdense state, a plasma cathode is used in the form of a current-conducting rod comprising a dielectric end element having the perimeter of the rear end embracing the perimeter of the rod in the plane perpendicular to the axis of symmetry with a continuous gap, and the area of the emitting surface being greater than the maximum cross- section area of the anode-enhancer; the anode-enhancer is placed towards the plasma cathode so that the center of curvature of the working surface of the anode enhancer is located inside the focal space of the collectively self focussing electron beam; and the anode-enhancer is acted upon by an electron beam with an electron energy not smaller than 0.2 MeV, current density not smaller than 106 A/cm2 and duration not greater than 100 ns.
L'invention concerne un procédé de compression d'une substance par impact dans des diodes à vide relatif axisymétriques (RVD) comprenant une cathode à plasma et un amplificateur anodique, le procédé consistant : à produire une cible axisymétrique d'une substance condensée, servant au moins en partie pour l'amplificateur anodique ; à placer lesdites électrodes de manière axiale ; et à produire une impulsion d'énergie via le RVD. Pour comprimer une grande partie de la substance cible et obtenir un état superdense, le procédé consiste : à utiliser une cathode à plasma sous forme de tige électroconductrice comprenant un élément d'extrémité diélectrique dont le périmètre de l'extrémité arrière entoure le périmètre de la tige dans le plan perpendiculaire à l'axe de symétrie avec un espace continu, l'aire de la surface émettrice étant supérieure à l'aire transversale maximale de l'amplificateur anodique ; à orienter l'amplificateur anodique en direction de la cathode à plasma, afin que le centre de la courbure de la surface de travail de l'amplificateur anodique soit situé à l'intérieur de l'espace focal du faisceau d'électrons autofocalisé ; et à commander l'amplificateur anodique à l'aide d'un faisceau d'électrons ayant un potentiel supérieur ou égal à 0,2 MeV, une densité de courant supérieure ou égale à 106 A/cm?2¿ et une durée inférieure ou égale à 100 ns.
Adamenko Stanislav Vasilyevich
Gowling Lafleur Henderson Llp
Ltd Company "proton-21"
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2071261