H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/56 (2006.01) G06K 19/077 (2006.01) H01L 21/48 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) H05K 3/20 (2006.01) H05K 3/30 (2006.01) H05K 13/00 (2006.01)
Patent
CA 2539463
The invention relates to a method and device that make it possible to increase the productivity of chip bonding and of the before and after working steps associated with chip bonding. To this end, the invention provides a method for contacting semiconductor chips (3) on a metallic substrate (16), whereby an etch resist (27) is located at least on one substrate side, and semiconductor chips (3) are contacted on the contacting side (30) by means of flip-chip bonding processes, during which a contacting region (7) is created on the contacting side (30) of the substrate (16). A semiconductor chip (3) having two contact bumps (6) is contacted on said contacting region in such a manner that: a contact bump (6) is contacted on both sides of a structure line (35) or of a structure trench (13) dividing the contacting region (7), and; after the contacting, an underfilling of the chip (3) ensues after which an electrically insulating passage (14) is made in the contacting region (7), and a module (32), which supports the semiconductor chip (3), is removed from the substrate (16).
L'objectif de cette invention est de créer un procédé et un dispositif permettant d'accroître la productivité du procédé de montage de puce ainsi que des étapes de travail qui sont liées à ce procédé de montage de puce, en amont et en aval de celui-ci. A cet effet, l'on conçoit un procédé pour connecter des puces de semi-conducteur (3) sur un substrat métallique (16). Selon l'invention, au moins une face du substrat comporte un résist d'attaque (27), et des puces de semi-conducteur (3) sont connectées sur la face de contact (30) au moyen d'un procédé de soudage de puces à bosses. Sur ladite face de contact (30) du substrat (16), une zone de connexion (7) est générée, et une puce de semi-conducteur (3) comportant deux bosses de contact (6) est connectée sur ladite zone de contact, de façon que de part et d'autre d'une ligne structurale (35) divisant la zone de connexion (7) ou d'une tranchée structurale (13), respectivement une bosse de contact (6) soit connectée avec le substrat. Après le processus de connexion, la puce de semi-conducteur (3) est soumise à un processus de remplissage, puis un passage électriquement isolant (14) est ménagé dans la zone de connexion (7), et un module (32) portant la puce de semi-conducteur (3) est séparé du substrat (16).
Michalk Manfred
Michalk Martin
Nieland Sabine
Assa Abloy Ab
Assa Abloy Identification Technology Group Ab
Robic
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1353498