Method and device for measuring temperature during...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 21/205 (2006.01) G01K 11/12 (2006.01)

Patent

CA 2748240

Provided is a method and a device for measuring a temperature which can recognize the temperature of a semiconductor layer directly with high precision when the semiconductor layer is formed by deposition. The quantity of laser light transmitted a semiconductor layer is monitored by a photodetector by using laser light having a wavelength .lambda.s at which the transmittance of light changes abruptly when the temperature of the semiconductor layer reaches Ts during or after deposition. When heat being given to the semiconductor layer is changed, the quantity of laser light monitored by the photodetector changes abruptly when the temperature of the semiconductor layer reaches Ts at a time A, B or C. Consequently, the fact that the temperature of the semiconductor layer reached Ts at a time A, B or C can be recognized exactly, and an error in temperature information observed by a device for measuring temperature variations can be calibrated, for example.

La présente invention concerne un procédé et un dispositif de mesure de température permettant de reconnaître directement et avec une précision élevée la température d'une couche de semi-conducteur pendant la formation par dépôt de la couche de semi-conducteur. La quantité de lumière émise sur une couche de semi-conducteur est surveillée par un photodétecteur au moyen d'une lumière laser fonctionnant à une longueur d'ondes ?s à laquelle le facteur de transmission de la lumière varie brutalement quand la couche de semi-conducteur atteint la température Ts, pendant ou après le dépôt. Lorsque la chaleur apportée à la couche de semi-conducteur varie, la quantité de lumière laser surveillée par le photodétecteur varie brutalement dès qu'à un instant A, B ou C, la couche de semi-conducteur atteint la température Ts. On arrive ainsi de savoir que la que la couche de semi-conducteur atteint exactement la température Ts à l'instant A, B ou C, ce qui permet de disposer d'une base pour le calcul d'erreur de l'information de température observée par un dispositif destiné à mesurer des variations de température.

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