Method and device for producing silicon-rich foundry iron

Details Method and device for producing silicon-rich foundry iron Method and device for producing silicon-rich foundry iron

C - Chemistry, Metallurgy

21

B

C21B 11/10 (2006.01) C21B 11/02 (2006.01) F27D 11/08 (2006.01)

Patent

CA 2262490

The invention relates to a process and a device for producing silicon-rich foundry pig iron. The process comprises the following steps: a) silicon oxides and iron-carbon metals are introduced into a DC furnace as the charge; b) the charge is maintained under a highly reductive atmosphere; c) the column of material is guided annularly at least in the vicinity of the vessel base; and d) is exposed to the radiant heat from a heat source which is situated in the free area in the region where the annular column of material opens out above the furnace base. The DC furnace, with an electrode which is arranged centrally, projects into the furnace vessel and is guided as far as the vicinity of the base, and a counterelectrode which is arranged in the base of the furnace vessel, is one in which the electrode projecting into the vessel is surrounded by a coaxially guided sleeve, the ratio between the external diameter (d) of the sleeve and the internal diameter (D) of the furnace vessel being d:D = 1:4 and the opening of the sleeve being spaced apart from the furnace-vessel base at a distance (a), where 2 x d <=- a <= 4 x d.

L'invention concerne un procédé et un dispositif pour produire de la fonte brute de fonderie riche en silicium. Ce procédé se caractérise par les étapes suivantes: a) les oxydes de silicium et les métaux à base de fer et de carbone sont chargés dans un four à cuve; b) la charge est maintenue dans une atmosphère fortement réductrice; c) la colonne de matière est guidée de façon annulaire au moins à proximité du fond de la carcasse du four; d) et exposée à la chaleur rayonnante d'une source de chaleur située au-dessus du fond du four, dans l'espace libre de la zone où débouche la colonne de matière annulaire. Le four à courant continu, pourvu d'une électrode centrale, faisant saillie à l'intérieur de la carcasse du four et guidée jusqu'à proximité de fond, ainsi que d'une contre-électrode disposée au fond de la carcasse du four, est caractérisé en ce que l'électrode faisant saillie à l'intérieur de la carcasse est entourée d'une gaine coaxiale, le rapport entre le diamètre extérieur (d) de la gaine et le diamètre intérieur (D) de la carcasse du four étant égal à 1:4, et l'ouverture de la gaine étant située à une distance (a) du fond de la carcasse du four, selon la relation 2 x d </= a </= 4 x d.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Method and device for producing silicon-rich foundry iron does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Method and device for producing silicon-rich foundry iron, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method and device for producing silicon-rich foundry iron will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2081624