Method for altering cable semiconductive layer

Details Method for altering cable semiconductive layer Method for altering cable semiconductive layer

H - Electricity

01

B

H01B 3/44 (2006.01) H02G 1/14 (2006.01) H02G 15/064 (2006.01) H02G 15/068 (2006.01) H02G 15/103 (2006.01) H02G 15/184 (2006.01) H02G 15/188 (2006.01)

Patent

CA 2261030

A method of altering a portion of the semiconductive layer of an electric power cable, to increase its resistance so as to render it electrically insulative. The semiconductive layer is loaded with carbon powder which forms chains to provide conductive pathways through the layer. By introducing an intercalant into the semiconductive layer, which causes the layer to swell, the conductive pathways are interrupted and the material is rendered insulative ( > 104 .OMEGA.-cm). The intercalant may be a polymerizable material with a curing agent which is cured in situ, i.e., without removing the semiconductive layer from the cable. By this method, flashover to the semiconductive layer at a cable splice or termination may be prevented without requiring tedious removal of the exposed portion of the semiconductive layer. The method is usable with both strippable and coextruded semiconductive layers.

Cette invention concerne un procédé de modification de la couche semi-conductrice d'un câble d'alimentation électrique visant à accroître sa résistance pour le rendre électriquement isolant. Ladite couche semi-conductrice est chargée de poudre de carbone qui forme des chaînes constituant en son sein des chemins conducteurs. En introduisant un agent intercalaire dans la couche semi-conductrice qui provoque le gonflement de ladite couche, on interrompt les chemins conducteurs et le matériau est rendu isolant (?10?4¿ .OMEGA.-cm). L'agent intercalaire utilisé peut être composé d'une matière polymérisable et d'un agent de durcissement qui durcit in situ, c'est à dire sans que l'on ait à retirer la couche semi-conductrice du câble. Grâce à ce procédé, il est possible d'éviter la formation d'une décharge en direction de la couche semi-conductrice au niveau d'une épissure ou d'un raccordement du câble sans que cela nécessite un retrait fastidieux de la zone exposée de la couche semi-conductrice. Ledit procédé peut s'appliquer à des couches semi-conductrices dénudables ou à des couches co-extrudées.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Method for altering cable semiconductive layer does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Method for altering cable semiconductive layer, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method for altering cable semiconductive layer will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2073532