Method for controlling electrodeposition of an entity and...

C - Chemistry – Metallurgy – 25 – D

Patent

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C25D 13/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C12Q 1/00 (2006.01) C25D 13/22 (2006.01) C25D 17/00 (2006.01) G01N 27/327 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01)

Patent

CA 2549835

The present invention relates to a method and system for controlling electrodeposition of a deposition entity in which a solution or suspension of the deposition entity is provided between a pair of superposed electrodes at a predetermined concentration. A potential is applied to the electrodes sufficient to cause migration of the deposition entity to one of the electrodes and deposition of a controlled thickness of the deposition entity. The distance between the electrodes and voltage applied can be controlled to provide migration of the deposition entity. The method and system provide controlled immobilization of deposition entities such as proteins, enzymes, light harvesting complexes, DNA, RNA, PNA onto a substrate without loss of function. In one embodiment, the system can be used on a nanoscale. Additionally, devices can be formed by the method of the present invention.

La présente invention concerne un procédé et un système destinés à réguler l'électrodéposition d'une entité de dépôt, une solution ou suspension de l'entité de dépôt étant disposée entre une paire d'électrodes superposées à une concentration prédéterminée. Un potentiel est appliqué sur les électrodes, ce potentiel étant suffisant pour causer la migration de l'entité de dépôt vers l'une des électrodes ainsi que le dépôt d'une épaisseur de cette entité de dépôt. La distance entre les électrodes et la tension appliquée peut être régulée en vue d'assurer la migration de l'entité de dépôt. Ce procédé et ce système permettent d'obtenir une immobilisation régulée d'entités de dépôt, telles que des protéines, des enzymes, des complexes collecteurs de lumière, des ADN, des ARN ou des ANP, sur un substrat sans perte de fonction. Dans un mode de réalisation, le système peut être utilisé sur une échelle nanométrique. En outre, des dispositifs peuvent être formés au moyen du procédé de la présente invention.

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