H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/3105 (2006.01) H01L 21/318 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2409156
A method of depositing an interlevel dielectric material on a semiconductor wafer at a selected thickness such that the best global planarity of the dielectric layer is achieved. A model for the deposition of a silicon dioxide layer is developed based upon the physics of deposition and sputtering and based upon the minimum geometry of features in the semiconductor device. First the geometric parameters of the metal features are determined. Then, based upon the most aggressive aspect ratio between metal lines, the deposition rate to sputter rate ratio is calculated. The film thickness for optimum global planarity is determined based on the calculated ratio. The dielectric material (121, 123) is then deposited on the metal features (115, 117, 119) using HDP- CVD techniques in a manner using the calculated ratio to stop deposition at the determined film thickness such that the optimum thickness for global planarity is achieved.
Cette invention a trait à un procédé de dépôt d'une épaisseur sélectionnée d'un matériau diélectrique intercouche sur une tranche de semi-conducteur afin d'obtenir la meilleure planéité globale. Ce procédé de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium repose sur des principes physiques de dépôt ainsi que sur des techniques de pulvérisation cathodique et repose sur la géométrie minimale d'éléments du dispositif à semi-conducteurs. On détermine tout d'abord les paramètres géométriques des éléments métalliques. Ensuite, d'après le facteur de forme le moins agressif entre les lignes de métallisation, on calcule le taux de dépôt pour le coefficient de taux de pulvérisation cathodique. On détermine l'épaisseur du film permettant d'obtenir une planéité globale optimale d'après ce coefficient. On dépose alors le matériau diélectrique (121, 123) sur les éléments métalliques (115, 117, 119) au moyen de techniques de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma haute densité (HDP-CVD) de manière à utiliser le coefficient susmentionné pour arrêter le processus de dépôt une fois atteinte l'épaisseur déterminée, ce qui permet d'obtenir une épaisseur optimale assurant la planéité globale.
Atmel Corporation
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2042902