C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/513 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/452 (2006.01)
Patent
CA 2609847
L'invention a pour objet un procédé d'obtention d'un matériau comprenant un substrat dont au moins une partie de la surface d'au moins une de ses faces est à base de composés organiques, ledit procédé étant mis en oeuvre à pression atmosphérique et sans chauffage de la totalité dudit substrat, ledit procédé comprenant en outre les étapes suivantes : - on crée à proximité immediate dudit substrat une zone contenant des espèces actives d'un plasma non thermique, - on injecte dans ladite zone au moins un précurseur d'un élément chimique de manière à déposer sur au moins une face dudit substrat dont au moins une partie de la surface est à base de composés organiques une première couche mince susceptible de protéger ledit substrat contre des réactions d'oxydation, notamment radicalaire. L'invention à également pour objet le matériau susceptible d'être obtenu selon ce procédé.
Besson Sophie
Duran Maxime
Garre Emmanuel
Gay Thierry
Gentilhomme Carole
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Certainteed Corporation
Lapeyre
LandOfFree
Method for depositing a thin film and product thus obtained does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method for depositing a thin film and product thus obtained, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method for depositing a thin film and product thus obtained will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1679923