Method for depositing a transparent antistatic thin film on...

C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C

Patent

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C23C 16/18 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01)

Patent

CA 2066585

2066585 9202661 PCTABSCORF2 On opère en produisant un flux gazeux réactif du type plasma froid par action d'un champ électrique continu, alternatif ou pulsé de fréquence allant de 0 Hz à 1000 kHz sur une atmosphère gazeuse maintenue sous une pression entre 5 Pa et 100 Pa et constituée de vapeurs d'un ou plusieurs composés organoétains comme le tétraméthylétain, et en maintenant l'objet façonné, en dessous de son point de ramollissement, au contact du flux gazeux réactif pendant une durée suffisante pour déposer à la surface dudit objet un film dérivant du composé organoétain et ayant une épaisseur comprise entre 10 nm et 1500 nm. L'objet ainsi revêtu présente un antistatisme durable sans modification de son aspect de surface.

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