H - Electricity – 05 – B
Patent
H - Electricity
05
B
H05B 41/282 (2006.01) H02M 3/335 (2006.01) H05B 41/285 (2006.01)
Patent
CA 2655840
This invention relates to a method for detecting the real cutting off signal of BJT (bipolar junction transistor) in an electronic ballast and the corresponding electronic ballast. Said electronic ballast comprises a half-bridge circuit composed of two BJTs, the voltage output signal of said half- bridge circuit is on the one hand provided to a lamp and on the other hand is grounded via a capacitor and a backward diode. In order to accurately and quickly detect the real cutting off signal of said BJT, the HB control unit measures the sharp slope of voltage at the connection point (N) between the capacitor and the diode. By measuring the time between the flank of the control pulse for cutting off BJT and the corresponding sharp slope of voltage appearing accordingly at the connection point, the storage times (Ts1, Ts2) of the two BJTs are obtained. Said storage times are compared with each other, wherein the shorter storage time is used to adjust the amplitude of IC output for base current regulation, and the longer storage time is used to adjust the deadtime of IC outputs to make sure that there is always enough and appropriate deadtime. Thereby an electronic ballast operating more safely is provided.
La présente invention concerne un procédé de détection du signal de coupure réel d'un BJT (transistor à jonction bipolaire) dans un ballast électronique et le ballast électronique correspondant. Ledit ballast électronique comprend un circuit en demi-pont composé de deux BJT, la tension de sortie dudit circuit en demi-pont étant d'un côté délivrée à une lampe et de l'autre côté mise à la masse par le biais d'un condensateur et d'une diode de retour. Pour détecter le signal de coupure réel dudit BJT avec précision et rapidité, l'unité de commande HB mesure la pente de tension raide au point de connexion (N) entre le condensateur et la diode. En mesurant la durée entre le front de l'impulsion de commande de coupure du BJT et la pente raide de tension correspondante qui apparaît en conséquence au point de connexion, on obtient les temps (Ts1, Ts2) de mémorisation des deux BJT. Lesdits temps de mémorisation sont comparés et le temps de mémorisation le plus court est utilisé pour régler l'amplitude de la sortie du circuit intégré pour la régulation du courant de base, alors que le temps de mémorisation le plus long est utilisé pour régler le temps de coupure-rétablissement des sorties du circuit intégré afin de garantir qu'il existe toujours un temps de coupure-rétablissement approprié. On obtient ainsi un ballast électronique au fonctionnement plus sûr.
Gao Wei
Heckmann Markus
Li Ji
Xue Yanshun
Osram Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2006516