H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/768 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01)
Patent
CA 2359473
The invention relates to a method for galvanically forming conductor structures of high-purity copper on surfaces of semiconductor substrates (wafers) (1) during the production of integrated circuits, said semiconductor substrates being provided with indentations (2). The inventive method comprises the following steps: a) coating the entire surfaces of the semiconductor substrates (1) which are provided with indentations (2) with a backing material layer in order to obtain a sufficient conductivity for the galvanic deposition process; b) depositing copper layers (3) having an even layer thickness on the entire surface of the backing material layer via a galvanic metal deposition process by contacting the semiconductor substrates with a copper deposition bath. Said copper deposition bath contains at least one copper ion source, at least one additive compound for controlling the physico-mechanical properties of the copper layers and Fe(II) and/or Fe(II) compounds. Between the semiconductor substrates and the dimension-stable counter-electrodes which are contacted with said bath and which are insoluble therein an electric potential is applied so that an electric current flows between the semiconductor substrates (1) and the counter-electrodes. In a last step of the inventive method, c) the copper layer (3) is structured.
L'invention concerne un procédé pour la formation galvanique de structures conductrices en cuivre de grande pureté sur des surfaces de substrats semi-conducteurs (plaquettes) (1) pourvues de creux (2) lors de la fabrication de circuits intégrés. Le procédé selon l'invention comporte les étapes suivantes: a. application sur les surfaces pourvues de creux (2) des substrats semi-conducteurs (1) d'une couche métallique de base sur toute la surface afin d'obtenir une conduction suffisante pour le dépôt galvanique; b. dépôt de surface de couches de cuivre (3) à épaisseur homogène sur la couche métallique de base au moyen d'un procédé de dépôt métallique galvanique par mise en contact des substrats semi-conducteurs avec un bain de dépôt cuivreux, le bain de dépôt cuivreux contenant au moins une source d'ions de cuivre, au moins un composé d'addition servant à commander les propriétés physico-mécaniques des couches de cuivre ainsi que des composés Fe(II) ou Fe(III), et une tension électrique étant appliquée entre les substrats semi-conducteurs et des contre-électrodes à dimension stable, non solubles dans le bain et mises en contact avec lui de sorte qu'un courant électrique circule entre les substrats semi-conducteurs (1) et les contre-électrodes; c. structuration de la couche de cuivre (3).
Meyer Heinrich
Thies Andreas
Atotech Deutschland Gmbh
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1940874