Method for eliminating boron impurities in metallurgical...

C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B

Patent

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C01B 33/037 (2006.01) C01B 33/00 (2006.01) C01B 35/00 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)

Patent

CA 2638998

The present invention discloses a method for eliminating boron impurities in metallurgical silicon which includes the following steps: the metallurgical silicon powders being immersed in acid for 6~48 hours is then washed and heatingly dried; silicon powders being acid cleaned, washed and heated in the first step is heated to 300°C ~ 700°C in the reactor and fed in oxidizing gas for oxidation reaction, wherein the reaction time is 6~72 hours. The Silicon powders being heatingly oxidized are immersed in water or acid for 1~6 hours and then washed clean; the silicon powders being immersed and washed is baked at 100°C ~ 300°C for 6~24 hours; whereas the metallurgical silicon purification art of the present invention is done at lower temperature, the operation is easier while lowering down the purification cost to provide good material for next work steps thereby satisfying the demands for low cost solar grade polycrystalline silicon productions.

La présente invention concerne une méthode permettant d'éliminer les impuretés de bore dans du silicium métallurgique, méthode comportant les étapes suivantes : on immerge les poudres de silicium métallurgique dans l'acide pendant 6 à 48 heures, puis on les rince et on les sèche à la chaleur; les poudres de silicium lavées à l'acide, rincées et chauffées à l'étape 1 sont chauffées à une température de 300 degrés Celsius à ~ 700 degrés Celsius dans le réacteur et acheminées dans un gaz oxydant pour subir une réaction d'oxydation, le temps de réaction étant de 6 à ~ 72 heures. Les poudres de silicium thermooxydées sont plongées dans l'eau ou dans l'acide pendant 1 à ~ 6 heures, puis rincées. Elles sont ensuite cuites à une température de 100 degrés Celsius à ~ 300 degrés Celsius pendant 6 à 24 heures. Comme la purification du silicium métallurgique se fait, selon la présente invention, à une température plus basse que selon les autres procédés, l'opération est plus facile, et les coûts associés à la purification sont réduits pour obtenir une matière convenable pour les étapes subséquentes. Cela répond à la demande de procédés de production de silicium polycristallin de qualité solaire à faible coût.

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