H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2398525
A first group III nitride compound semiconductor layer (31) is etched by using a mask (4) into islands of dot, stripe, or check pattern so as to form steps. Without removing the mask (4) on the tops of the upper stages of the steps, a second group III compound semiconductor layer (32) that does not epitaxially grow on the mask (4) can be epitaxially grown vertically and horizontally from the sides acting as the nuclei of the growth to fill in the step portions. Any threading dislocation in the group III nitride compound semiconductor layer (31) is suppressed to be propagated into the horizontally epitaxially grown upper portion of the second group III nitride compound semiconductor layer (32), and therefore a region where threading dislocations are few can be formed in the filled step portions.
L'invention concerne une première couche semi-conductrice (23) à base de composé nitrure du groupe III gravée à l'aide d'un masque (4) dans des îlots de points, de stries, ou de motifs de vérification de façon à former des créneaux. Sans avoir à retirer le masque (4) sur les parties supérieures des créneaux, une seconde couche semi-conductrice (32) à croissance non épitaxiale sur le masque (4) peut croître verticalement et horizontalement, de manière épitaxiale, à partir des côtés agissant comme des germes de croissance de façon à remplir les parties de créneaux. On empêche toute dislocation hélicoïdale dans la couche semi-conductrice (31) à base de composé nitrure du groupe III afin de la propager dans la partie supérieure à croissance épitaxiale horizontale de la seconde couche semi-conductrice (32) à base de composé nitrure du groupe III, et il est ainsi possible de former une région dans laquelle les dislocations sont peut nombreuses dans les parties de créneaux remplies.
Hiramatsu Toshio
Koike Masayoshi
Kojima Akira
Tezen Yuta
Smart & Biggar
Toyoda Gosei Co. Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2016900