H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/62 (2006.01) G01D 11/02 (2006.01) G01P 15/00 (2006.01) G01P 15/08 (2006.01) G01P 15/125 (2006.01)
Patent
CA 2159642
A method for fabricating a connecting spring member (24) of an arbitrary shape extending between a central mass (21) and an outer support frame (23) of a sensor as shown in Figure 7 is disclosed. Each of a pair of generally identical silicon wafers (10, 12) has an inner etch stop layer (16) applied to one face with an outer epitaxial layer (18) formed over such etch stop layer (16). A photosensitive oxide layer (30) is applied to the other face of each of the wafers (10, 12). Next, a pattern of the central mass (21) and outer support frame (23) as shown in Figure 2 is photographically imposed on the photosensitive oxide layers (18) of each wafer (10, 12). After wet chemical etching of the wafers (10, 12) removes silicon material to the etch stop layer, and the etch stop layer is itself removed in the space between the mass and the frame, the two wafers (10, 12) are bonded to each other as shown in Figure 5. Next, the spring shape, of any arbitrary shape is formed by plasma etching from the outer surfaces of the bonded wafers (10, 12) in the area between the mass and the frame. Accordingly the spring members (24) extend between the central mass (21) and the outer support frame (23).
Procédé de fabrication d'un ressort (24) de connexion de forme arbitraire qui s'étend entre une masse centrale (21) et un cadre de support externe (23) d'un capteur, comme le montre la figure 7. Chacune des tranches (10, 12) de silicium généralement identiques composant une paire possède une couche (16) interne d'arrêt d'attaque appliquée sur une face, ainsi qu'une couche externe épitaxiale (18) formée sur la couche (16) d'arrêt d'attaque. Une couche (30) d'oxyde photosensible est appliquée sur l'autre face de chacune des tranches (10, 12). Ensuite, un modèle de la masse centrale (21) et du cadre de support externe (23) tels qu'ils sont illustrés à la figure 2 est imposé par procédé photographique sur les couches (18) d'oxyde photosensibles de chaque tranche (10, 12). Un fois que le silicium a été enlevé des tranches (10, 12) par gravure humide jusqu'à la couche d'arrêt d'attaque et que la couche d'arrêt d'attaque a elle-même été enlevée dans l'espace situé entre la masse et le support, les deux tranches (10, 12) sont reliées l'une à l'autre comme le montre la figure 5. Ensuite, le ressort, de forme arbitraire, est formé par attaque au plasma à partir des surfaces externes des tranches reliées (10, 12) dans la zone située entre la masse et le support. Par conséquent, les éléments ressorts (24) s'étendent entre la masse centrale (21) et le cadre de support externe (23).
Finlayson & Singlehurst
I/o Sensors Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2019782