H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/44 (2006.01) H01L 23/34 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
Patent
CA 2509673
A novel method is presented to provide ASICs with drastically reduced NRE and with volume flexibility. The invention includes a method of fabricating an integrated circuit, including the steps of: providing a semiconductor substrate, forming a borderless logic array including a plurality of Area I/Os (36) and also including the step of forming redistribution layer (32) for redistribution at least some of the Area I/Os for the purpose of the device packaging. The fabrication may utilize Direct Write e-Beam for customization. The customization step may include fabricating various types of devices at different volume from the same wafer.
La présente invention concerne un nouveau procédé de production de circuits intégrés spécifiques (type ASIC) ayant un NRE réduit de manière stricte et une souplesse au niveau du volume. Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré qui comprend les étapes suivantes: on utilise un substrat à semi-conducteurs, on forme un réseau logique sans frontière comprenant une pluralité d'entrées/sorties de zone, et comprenant également l'étape de formation d'une couche de redistribution afin de redistribuer au moins certaines entrées/sorties de zone en vue de conditionner le dispositif. Pour la fabrication, on peut utiliser un faisceau direct d'électrons d'écriture pour la fabrication sur mesure. L'étape de fabrication sur mesure peut consister à fabriquer divers types de dispositifs ayant un volume différent à partir de la même tranche.
Apostol Adrian
Cooke Laurence
Iacobut Romeo
Or-Bach Zvi
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Easic Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1560671