H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/285 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 21/8232 (2006.01)
Patent
CA 2222123
Titanium is deposited onto a semiconductor interconnect to form a salicide structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The reactant gases, including titanium tetrachloride, hydrogen and optionally argon, are combined. A plasma is created using RF energy and the plasma contacts the rotating semiconductor material (11). This causes titanium to be deposited which reacts with exposed silicon to form titanium silicide (67, 68 and 69) without any subsequent anneal. Other titanium deposited on the surface, as well as titanium-rich silicon compositions (TiSix wherein X is 2), are removed by chemical etching. If only about 40 .ANG. of titanium is deposited, it will selectively deposit onto the silicon structure without coating the oxide spacers of the interconnect. In this embodiment the need to chemically etch the substrate is eliminated.
On dépose du titane sur une interconnexion à semi-conducteurs, afin d'obtenir une structure de saliciure au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur au plasma. On combine les gaz réactifs, y compris le tétrachlorure de titane, l'hydrogène et, éventuellement, l'argon. On crée un plasma au moyen d'énergie haute fréquence et ce plasma vient en contact avec le matériau à semi-conducteurs (11) en rotation. Ceci provoque le dépôt du titane qui réagit avec le silicium exposé, de manière à constituer du siliciure de titane (67, 68, 69) sans recuit ultérieur. On dépose encore du titane sur la surface et on supprime par attaque chimique les compositions de silicium riche en titane (TiSi¿x? où X est ?2). Si on ne dépose qu'environ 40 .ANG. de titane, ce dernier se déposera sélectivement sur la structure de silicium sans recouvrir les éléments d'espacement en oxyde de l'interconnexion. Ce mode de réalisation permet de ne pas avoir à procéder à l'attaque chimique du substrat.
Ameen Michael S.
Arena Chantal
Faguet Jacques
Foster Robert F.
Hillman Joseph T.
Commissariat A. L'energie Atomique
Gowling Lafleur Henderson Llp
Materials Research Corporation
Tokyo Electron Limited
LandOfFree
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