H - Electricity – 01 – B
Patent
H - Electricity
01
B
H01B 13/00 (2006.01) G03F 7/038 (2006.01) G03F 7/40 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) G02F 1/1343 (2006.01) H05K 1/02 (2006.01) H05K 3/06 (2006.01)
Patent
CA 2351568
To provide a process for patterning an ITO film, which is capable of preventing, for patterning an Indium-Tin-Oxide (ITO) film by using a chemically amplified resist, resist peeling or reduced adhesion even if the ITO film is exposed to a white light after resist development. An amorphous ITO film is first formed on a substrate, and a negative chemically amplified resist is directly provided on the film, exposed and. developed. In a resultant structure having a resist pattern on the amorphous ITO film, even if exposed to a white light, no resist peeling or no reduced adhesion occurs, and thus satisfactory visual inspection can be performed without adversely affecting subsequent steps. For the structure determined as a good product by visual inspection, the amorphous ITO film is etched through the resist pattern used as a mask, the resist pattern is removed, and then by heating the amorphous ITO film at the ITO crystallization temperature or higher, the crystallized ITO pattern having chemical resistance and good electrical conductivity can he obtained.
Un procédé permettant de façonner un film d'indium-étain-oxyde (ITO) à l'aide d'une réserve amplifiée chimiquement, sans provoquer la séparation de la réserve ni la dégradation de l'adhérence même si le film ITO est exposé à de la lumière blanche après le développement de la réserve. Un film ITO amorphe est formé sur une tranche. Une réserve négative amplifiée chimiquement est appliquée directement sur le film ITO et le film de réserve est exposé et développé. La structure comportant un motif de réserve sur le film ITO amorphe ne peut voir la réserve se séparer ou l'adhérence se dégrader même si le motif de réserve est exposé à de la lumière blanche et par conséquent les étapes de fabrication suivantes ne sont pas affectées négativement, ceci permettant d'effectuer une inspection visuelle correcte. Une fois que la structure est jugée acceptable suite à l'inspection visuelle, le film ITO amorphe est gravé à l'aide du motif de réserve qui fait office de masque, puis le motif de réserve est enlevé. Le film ITO est chauffé à une température supérieure à la température de cristallisation des éléments ITO pour former un motif ITO cristallisé présentant une résistance aux substances chimiques et une bonne conductivité électrique.
Miyamoto Takashi
Tsujimura Takatoshi
Au Optronics Corporation
International Business Machines Corporation
Rosen Arnold
LandOfFree
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