H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/15 (2006.01) H01L 29/10 (2006.01)
Patent
CA 2530061
A method is for making a semiconductor device by forming a superlattice that, in turn, includes a plurality of stacked groups of layers. The method may also include forming regions for causing transport of charge carriers through the superlattice in a parallel direction relative to the stacked groups of layers. Each group of the superlattice may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion and an energy band-modifying layer thereon. The energy-band modifying layer may include at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions so that the superlattice may have a higher charge carrier mobility in the parallel direction than would otherwise occur. The superlattice may also have a common energy band structure therein.
Procédé servant à fabriquer un dispositif à semi-conducteur par création d'un super-réseau qui, à son tour, comprend une pluralité de groupes de couches empilées. Ce procédé peut également consister à créer des zones de déclenchement du transport de porteurs de charge à travers le super-réseau dans un sens parallèle aux groupes de couches empilées. Chaque groupe du super-réseau peut comprendre une pluralité de monocouches empilées de semi-conducteur de base définissant une partie semi-conductrice de base recouverte par une couche de modification de bande d'énergie. Cette couche de modification de bande d'énergie peut comprendre au moins une monocouche non semi-conductrice contrainte à l'intérieur d'un réseau cristallin de parties semi-conductrices de base contiguës, de sorte que le super-réseau peut présenter une mobilité de porteur de charge supérieure dans un sens parallèle à ce qu'il en serait autrement. Le super-réseau peut également contenir une structure commune de bande d'énergie.
Dukovski Ilija
Hytha Marek
Kreps Scott A.
Mears Robert J.
Yiptong Jean Augustin Chan Sow Fook
Mears Technologies Inc.
Rj Mears Llc
Teitelbaum & Maclean
LandOfFree
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