Method for manufacturing semiconductor substrate

Details Method for manufacturing semiconductor substrate Method for manufacturing semiconductor substrate

H - Electricity

01

L

H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)

Patent

CA 2758266

A plurality of silicon carbide substrates (10) and a support portion (30) are heated. A temperature of a first radiation plane (RP1) facing the plurality of silicon carbide substrates (10) in a first space (SP1) extending from the plurality of silicon carbide substrates (10) in a direction perpendicular to one plane (PL1) and away from the support portion (30) is set to a first temperature. A temperature of a second radiation plane (RP2) facing the support portion (30) in a second space (SP2) extending from the support portion (30) in a direction perpendicular to one plane (PL1) and away from the plurality of silicon carbide substrates (10) is set to a second temperature higher than the first temperature. A temperature of a third radiation plane (RP3) facing the plurality of silicon carbide substrates (10) in a third space (SP3) extending from a gap (GP) among the plurality of silicon carbide substrates (10) along one plane (PL1) is set to a third temperature lower than the second temperature.

On chauffe une pluralité de substrats de carbure de silicium (10) et une partie support (30). La température d'une première surface de rayonnement (RP1) est fixée à une première température. La première surface de rayonnement (RP1) fait face à la pluralité de substrats de carbure de silicium (10) dans un premier espace (SP1) s'étendant à partir de la pluralité de substrats de carbure de silicium (10), dans une direction perpendiculaire à un plan (PL1) et s'éloignant de la partie support (30). La température d'une deuxième surface de rayonnement (RP2) est fixée à une deuxième température, supérieure à la première température. La deuxième surface de rayonnement (RP2) fait face à la partie support (30) dans un deuxième espace (SP2) s'étendant à partir de la partie support (30) dans une direction perpendiculaire audit plan (PL1) et s'éloignant de la pluralité de substrats de carbure de silicium (10). La température d'une troisième surface de rayonnement (RP3) est fixée à une troisième température, inférieure à la deuxième température. La troisième surface rayonnante (RP3) fait face à la pluralité de substrats de carbure de silicium (10) dans un troisième espace (SP3) s'étendant à partir d'intervalles entre la pluralité de substrats de carbure de silicium (10) dans ledit plan (PL1).

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